Descubren nuevo imán para nanoelectrónica (detalles)

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Hace poco, se ha dado a conocer el descubrimiento de un nuevo material que podría revolucionar el mundo de la nanoelectrónica.

Avances de la ciencia

Se trata de un imán artificial, con propiedades de conductor: se encuentra dividido en dos capas y cada una de ellas se encarga de una tarea.

Este descubrimiento fue realizado por el Instituto de Tecnología de Massachusetts (MIT) por un equipo de cuatro investigadores, quienes aún no le han asignado un nombre al nuevo material sintético, pero si han explicado claramente sus funciones: una pieza hecha de un material de este tipo conducirá la electricidad en sus bordes y será aislante en el resto.

¿Entienden? Dos funciones al precio de una, lo que podría significar funcionamiento de aparatos más fiel y sin muchas complicaciones que generalmente aparecen por mala conducción eléctrica (o exceso de la misma).

Este imán para nanoeléctrica se encuentra en medio de capas de nitruro de boro por encima y debajo (como un emparedado), y cuando se aplica un campo eléctrico al material, actúa sobre las capas del centro – en la imagen superior aparecen en color amarillo.

De acuerdo a lo que menciona el equipo de investigadores de MIL, este descubrimiento podría ayudar al desarrollo tecnológico notablemente, ya que con este imán podría crearse dispositivos de memoria con mayor densidad que los usados actualmente, gracias a sus funciones conductoras, superconductoras, ferroeléctricas, etcétera.

Según aparezcan noticias científicas sobre este y otros descubrimientos, se las haremos saber a la brevedad posible. ¡No dejen de leernos!

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